Andrzej Kassur

Obliczeniowe aspekty projektowania układów elektronicznych

Uwagi na temat warunków brzegowych na idealnym złączu p-n

Analiza właściwości statycznych i dynamicznych diod (p-n)-(l-h) o dowolnej grubości obszaru bazy

Ocena przydatności metody prostych do określenia rozkładu koncentracji nośników ładunku w bazie półprzewodnikowej diody p-n

Charakterystyka prądowo-napięciowa diody p-n⁺ [p⁺-n] z długą bazą [W/L≫1]

Analiza teoretyczna wpływu złącza 1-h na pracę przyrządów półprzewodnikowych

Ocena przydatności metody prostych do określania rozkładu koncentracji nosników ładunku w bazie półprzewodnikowej diody p-n

Charakterystyka prądowo-napięciowa germanowego złącza L-H

Charakterystyka prądowo-napięciowa germanowegio złącza L-H

Transport nośników ładunku w półprzewodnikowych strukturach diodowych w zakresie dużych poziomów koncentracji nośników ładunku

Transport nośników w półprzewodniku niejednorodnym z uwzględnieniem zależności ruchliwości od koncentracji domieszek